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igbt功率模塊發(fā)展前景如何

日期：2024-12-22 19:02
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摘要： 現(xiàn)階段igbt模塊原材料是硅半導(dǎo)體，已使用二十余載，，抗壓為6500伏，電流為3600安，不能完成很大突破。因此，行業(yè)內(nèi)公認(rèn)igbt模塊技術(shù)現(xiàn)階段已接近封頂。 但，對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)，需求并不是根本，技術(shù)升級(jí)才能是掌握投資機(jī)會(huì)的主軸，一旦技術(shù)出現(xiàn)迭代，需求將不會(huì)出現(xiàn)線性增長(zhǎng)的狀態(tài)?，F(xiàn)階段，igbt模塊在新能源車行業(yè)，就遭受了這個(gè)挑戰(zhàn)。業(yè)內(nèi)人士廣泛認(rèn)為，硅基igbt模塊逼近原材料特性，技術(shù)升級(jí)勢(shì)在必行。所以，以后碳化硅（SiC）半導(dǎo)體在一定行業(yè)和行業(yè)，包含電動(dòng)汽車，會(huì)完成對(duì)硅半導(dǎo)體的很大更換。 SiC和G...
現(xiàn)階段igbt模塊原材料是硅半導(dǎo)體，已使用二十余載，，抗壓為6500伏，電流為3600安，不能完成很大突破。因此，行業(yè)內(nèi)公認(rèn)igbt模塊技術(shù)現(xiàn)階段已接近封頂。

但，對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)，需求并不是根本，技術(shù)升級(jí)才能是掌握投資機(jī)會(huì)的主軸，一旦技術(shù)出現(xiàn)迭代，需求將不會(huì)出現(xiàn)線性增長(zhǎng)的狀態(tài)?，F(xiàn)階段，igbt模塊在新能源車行業(yè)，就遭受了這個(gè)挑戰(zhàn)。業(yè)內(nèi)人士廣泛認(rèn)為，硅基igbt模塊逼近原材料特性，技術(shù)升級(jí)勢(shì)在必行。所以，以后碳化硅（SiC）半導(dǎo)體在一定行業(yè)和行業(yè)，包含電動(dòng)汽車，會(huì)完成對(duì)硅半導(dǎo)體的很大更換。

SiC和GaN是第3代半導(dǎo)體材質(zhì)，與半導(dǎo)體材質(zhì)相比較，第3代半導(dǎo)體材質(zhì)具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適用于制做高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，一般又被稱作寬禁帶半導(dǎo)體材質(zhì)。

但，限制SiC用處的因素是成本費(fèi)太高，產(chǎn)品參數(shù)也并不穩(wěn)定。目前SiC芯片成本費(fèi)是igbt模塊的4-5倍，但業(yè)界預(yù)計(jì)SiC成本費(fèi)三年內(nèi)能夠 降低到2倍左右。所以，業(yè)內(nèi)也有聲音覺得，未來隨之第3代半導(dǎo)體的成本費(fèi)快速降低，igbt模塊就可能會(huì)進(jìn)一步被3代半導(dǎo)體取代。

實(shí)際上，目前已經(jīng)有廠家開始這么做了。2018年，特斯拉model3采用了意法半導(dǎo)體的24個(gè)碳化硅MOSFET模塊代替了igbt模塊，比照硅基的igbt模塊續(xù)航能夠 提升 5~10%，這也被覺得是第3代半導(dǎo)體首先開始取代igbt模塊的苗頭。

國(guó)金證券研報(bào)講解，未來igbt模塊將向更低的開關(guān)損耗、更高的電流密度和更高的工作溫度發(fā)展，隨之?dāng)?shù)萬(wàn)伏高壓、高過500℃的高溫、高頻、大功率等要求的提出，硅基igbt模塊的性能已經(jīng)接近材質(zhì)性能極限，所以碳化硅（SiC）基igbt模塊將站上歷史舞臺(tái)。

短期來講，受限于成本費(fèi)問題，未來3-5年igbt模塊重要的應(yīng)用。但未來隨之SiC成本費(fèi)的降低，穩(wěn)定性逐步提升 ，達(dá)到高量產(chǎn)，那個(gè)時(shí)候，igbt模塊的未來是不是會(huì)岌岌可危？

無論何時(shí)何地，只有把握核心技術(shù)方能占領(lǐng)行業(yè)話語(yǔ)權(quán)！與其他國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體相同，做為國(guó)產(chǎn)新能源汽車核心的igbt模塊同樣面臨著被國(guó)外控制的命運(yùn)，在現(xiàn)實(shí)面前，只有快速達(dá)到國(guó)產(chǎn)替代，這樣，在面對(duì)未來時(shí)，我們才有更足的底氣和更大的贏面。 

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