產(chǎn)品目錄 PRODUCT
- IGBT模塊
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌整流橋
- 英飛凌二極管
- 英飛凌可控硅
- 英飛凌模塊
- ABB模塊
- ABB可控硅
- ABB變頻器維修配件
- 西門康模塊
- 西門康IGBT模塊
- 西門康IGBT智能模塊
- 西門康大功率模塊
- 西門康二極管
- 西門康整流橋
- 西門康可控硅模塊
- 西門子IGBT模塊
- 西門子可控硅
- 西門子變頻器配件
- 三菱IGBT模塊
- 三菱整流橋
- 三菱GTR模塊(達(dá)林頓)
- 三菱IPM智能模塊
- 三菱IGBT快恢復(fù)二極管模塊
- 三菱IGBT可控硅模塊
- 三菱PIM整流逆變集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE模塊
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二極管
- EUPEC整流橋
- IXYS 整流橋
- IXYS可控硅
- IXYS二極管
- 富士IGBT
- 富士整流橋
- 富士IGBT可控硅
- 富士變頻器維修配件
- 富士IPM智能模塊
- 富士IGBT二極管模塊
- 富士GTR模塊(達(dá)林頓)
- 東芝IGBT
- 東芝可控硅模塊
- 東芝智能型IGBT
- 東芝GTR模塊(達(dá)林頓)
- 東芝復(fù)合模塊PIM
- 東芝二極管模塊
- 瑞士驅(qū)動(dòng)模塊
- 二極管
- 三社二極管
- 三社達(dá)林頓模塊
- 三社可控硅模塊
- 三社整流橋
- 西班牙廠家整流橋
- 三墾IGBT模塊
- 三墾GTR模塊(達(dá)林頓)
- 三墾智能型IPM
- IR IGBT模塊
- 西瑪可控硅
- 羅蘭快速熔斷器
- 富士熔斷器
- 美國(guó)BUSSMAN快熔
- 電解電容 高頻無(wú)感電容
- 光耦
- 場(chǎng)效應(yīng)模塊
- IR可控硅
文章詳情
英飛凌igbt使用注意事項(xiàng)
日期:2024-12-22 12:49
瀏覽次數(shù):1003
摘要:
英飛凌igbt使用注意事項(xiàng)如下:
IGBT管的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離由于此氧化膜很薄,IGBT管的UGE 的耐壓值為 20V,在IGBT管加超出耐壓值的電壓時(shí),會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞的危險(xiǎn) 此外,在柵極發(fā)射極間開路時(shí),若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過(guò),柵極電位升高,集電極則有電流流過(guò)。這時(shí),如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,則有可能使IGBT管發(fā)熱乃至損壞在應(yīng)用中,有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極*大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓為此,通常采用雙絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào),以減少寄生電感 在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓,如果柵極回路不合適或者柵極回路完全不能工作時(shí)(柵極處于開路狀態(tài)),若在主回路上加上電壓,則IGBT管就會(huì)損壞 為防止這類損壞情況發(fā)生,應(yīng)在柵極一發(fā)射極之間接一只10千歐左右的電阻。此外,由于IGBT管為MOS結(jié)構(gòu),對(duì)于靜電就要十分注意 因此,請(qǐng)注意下面幾點(diǎn):
(1)在使用模塊時(shí),手持分裝件時(shí),請(qǐng)勿觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電放電后,再觸摸;
(2)在用導(dǎo)電材料連接IGBT管的驅(qū)動(dòng)端子時(shí),在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊;
(3)盡量在底板良好接地的情況下操作 如焊接時(shí),電烙鐵要可靠接地在安裝或更換IGBT管時(shí),應(yīng)十分重視IGBT管與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度,為了減少接觸熱阻,在散熱器與IGBT管間涂抹導(dǎo)熱硅脂,一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇,當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱**時(shí)將導(dǎo)致IGBT管發(fā)熱,從而發(fā)生故障,因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查,一般在散熱片上靠近IGBT管的地方安裝有溫度感應(yīng)器,當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT管工作。
尊敬的客戶: